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EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Artikelnummer:
EPC2107ENGRT
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
74851 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
EPC2107ENGRT.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-EPC2107ENGRT
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device-Gehäuse:9-BGA (1.35x1.35)
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:9-VFBGA
Andere Namen:917-EPC2107ENGRTR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Typ FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):100V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

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