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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-FET, MOSFET-matrici > EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Modello di prodotti:
EPC2107ENGRT
fabbricante:
EPC
Descrizione:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Stato RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
Quantità in magazzino:
74851 Pieces
Tempo di consegna:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempi di produzione:
4-8 weeks
Scheda dati:
EPC2107ENGRT.pdf
Inchiesta

introduzione

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Specifiche

Numero di parte interno RO-EPC2107ENGRT
Condizione Original New
Paese di origine Contact us
Contrassegno superiore email us
Sostituzione See datasheet
Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Contenitore dispositivo fornitore:9-BGA (1.35x1.35)
Serie:eGaN®
Rds On (max) a Id, Vgs:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Potenza - Max:-
imballaggio:Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro:9-VFBGA
Altri nomi:917-EPC2107ENGRTR
temperatura di esercizio:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL):1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Tipo FET:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Caratteristica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Tensione drain-source (Vdss):100V
Descrizione dettagliata:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

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Immagine Modello di prodotti Produttori Descrizione vista
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