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EPC2105ENG
EPC2105ENG
Artikelnummer:
EPC2105ENG
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
83165 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
EPC2105ENG.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-EPC2105ENG
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 2.5mA
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:14.5 mOhm @ 20A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 40V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Typ FET:2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):80V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

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