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EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
Artikelnummer:
EPC2110ENGRT
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
52598 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
EPC2110ENGRT.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-EPC2110ENGRT
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 700µA
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:16 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.8nC @ 5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):120V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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