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EPC2110
EPC2110
Artikelnummer:
EPC2110
Hersteller:
EPC
Beschreibung:
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
RoHS-Status:
Bleifrei / RoHS-konform
Menge auf Lager:
58258 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionszeit:
4-8 weeks
Datenblatt:
EPC2110.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Interne Teilenummer RO-EPC2110
Bedingung Original New
Herkunftsland Contact us
Top-Markierung email us
Ersatz See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 700µA
Supplier Device-Gehäuse:Die
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:60 mOhm @ 4A, 5V
Leistung - max:-
Verpackung:Cut Tape (CT)
Verpackung / Gehäuse:Die
Andere Namen:917-1152-1
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:14 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 60V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.8nC @ 5V
Typ FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET-Merkmal:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss):120V
detaillierte Beschreibung:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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