Ελλάδα
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Σχετικά με εμάς | Επικοινωνήστε μαζί μας | Ζητήστε προσφορά |
Σπίτι > Προϊόντα > Προϊόντα διακριτών ημιαγωγών > Τρανζίστορ - τρανζίστορ, MOSFETs - πίνακες > EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Αριθμός εξαρτήματος:
EPC2107ENGRT
Κατασκευαστής:
EPC
Περιγραφή:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Κατάσταση RoHS:
Ο μόλυβδος ελεύθερος / συμβατός με RoHS
Ποσότητα σε Απόθεμα:
74851 Pieces
Ωρα παράδοσης:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Χρόνος παραγωγής:
4-8 weeks
Φύλλο δεδομένων:
EPC2107ENGRT.pdf
Έρευνα

Εισαγωγή

We can supply EPC2107ENGRT, use the request quote form to request EPC2107ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2107ENGRT.The price and lead time for EPC2107ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2107ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

ΠΡΟΔΙΑΓΡΑΦΕΣ

Αριθμός εσωτερικού μέρους RO-EPC2107ENGRT
Κατάσταση Original New
Προέλευση χώρας Contact us
Κορυφαία σήμανση email us
Αντικατάσταση See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Συσκευασία της συσκευής με τον προμηθευτή:9-BGA (1.35x1.35)
Σειρά:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Ισχύς - Max:-
Συσκευασία:Tape & Reel (TR)
Συσκευασία / υπόθεση:9-VFBGA
Αλλα ονόματα:917-EPC2107ENGRTR
Θερμοκρασία λειτουργίας:-40°C ~ 150°C (TJ)
τοποθέτηση Τύπος:Surface Mount
Επίπεδο Ευαισθησίας Υγρασίας (MSL):1 (Unlimited)
Κατάσταση χωρίς μόλυβδο / κατάσταση RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (Max) @ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Φόρτιση πύλης (Qg) (μέγιστο) @ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET Τύπος:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET Χαρακτηριστικό:GaNFET (Gallium Nitride)
Στραγγίζουμε σε πηγή τάσης (Vdss):100V
Λεπτομερής περιγραφή:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Τρέχουσα - συνεχής αποστράγγιση (Id) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

Γρήγορη Παράθεση Αίτηση

Αριθμός εξαρτήματος
Ποσότητα
Εταιρία
ΗΛΕΚΤΡΟΝΙΚΗ ΔΙΕΥΘΥΝΣΗ
Τηλέφωνο
Σχόλια

Συναφών ανταλλακτικών για EPC2107ENGRT

Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Κατασκευαστές Περιγραφή Θέα
EPC2203 Image EPC2203 EPC GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR Έρευνα
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Έρευνα
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Έρευνα
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Έρευνα
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Έρευνα
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Έρευνα
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Έρευνα
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Έρευνα
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Έρευνα
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Έρευνα
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Έρευνα
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER Έρευνα
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Έρευνα
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Έρευνα
EPC2202 Image EPC2202 EPC GANFET N-CH 80V 18A DIE Έρευνα
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Έρευνα

Latest Ειδήσεις