Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Arrays > EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Artikelnummer:
EPC2107ENGRT
Tillverkare:
EPC
Beskrivning:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS-status:
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Antal i lager:
74851 Pieces
Leveranstid:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionstid:
4-8 weeks
Datablad:
EPC2107ENGRT.pdf
Förfrågan

Introduktion

We can supply EPC2107ENGRT, use the request quote form to request EPC2107ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2107ENGRT.The price and lead time for EPC2107ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2107ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikationer

Internt delnummer RO-EPC2107ENGRT
Tillstånd Original New
Ursprungsland Contact us
Toppmarkering email us
Ersättning See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Leverantörs Device Package:9-BGA (1.35x1.35)
Serier:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Effekt - Max:-
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral:9-VFBGA
Andra namn:917-EPC2107ENGRTR
Driftstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET-typ:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET-funktionen:GaNFET (Gallium Nitride)
Avlopp till källspänning (Vdss):100V
detaljerad beskrivning:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till EPC2107ENGRT

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
EPC2203 Image EPC2203 EPC GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR Förfrågan
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Förfrågan
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Förfrågan
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Förfrågan
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Förfrågan
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Förfrågan
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Förfrågan
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Förfrågan
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Förfrågan
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Förfrågan
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Förfrågan
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Förfrågan
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Förfrågan
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Förfrågan
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Förfrågan
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER Förfrågan
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Förfrågan
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Förfrågan
EPC2202 Image EPC2202 EPC GANFET N-CH 80V 18A DIE Förfrågan
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Förfrågan

Latest News