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EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
型號:
EPC2107ENGRT
製造商:
EPC
描述:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
74851 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
EPC2107ENGRT.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-EPC2107ENGRT
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
VGS（TH）（最大）@標識:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
供應商設備封裝:9-BGA (1.35x1.35)
系列:eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
功率 - 最大:-
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:9-VFBGA
其他名稱:917-EPC2107ENGRTR
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET型:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET特點:GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）:100V
詳細說明:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
電流 - 25°C連續排水（Id）:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

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