Nederland
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Over ons | Neem contact met ons op | Een citaat aanvragen |
Huis > producten > Discrete Semiconductor Products > Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays > EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
EPC2107ENGRT
Onderdeel nummer:
EPC2107ENGRT
Fabrikant:
EPC
Beschrijving:
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
RoHS-status:
Loodvrij / RoHS-conform
hoeveelheid in voorraad:
74851 Pieces
Aflevertijd:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Productie tijd:
4-8 weeks
Data papier:
EPC2107ENGRT.pdf
Onderzoek

Invoering

We can supply EPC2107ENGRT, use the request quote form to request EPC2107ENGRT pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2107ENGRT.The price and lead time for EPC2107ENGRT depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2107ENGRT.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

bestek

Intern onderdeelnummer RO-EPC2107ENGRT
Staat Original New
Land van oorsprong Contact us
Top Markering email us
Vervanging See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Leverancier Device Pakket:9-BGA (1.35x1.35)
Serie:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, VGS:320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V
Vermogen - Max:-
Packaging:Tape & Reel (TR)
Verpakking / doos:9-VFBGA
Andere namen:917-EPC2107ENGRTR
Temperatuur:-40°C ~ 150°C (TJ)
montage Type:Surface Mount
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Loodvrije status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
FET Type:3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
FET Feature:GaNFET (Gallium Nitride)
Drain naar de Bron Voltage (Vdss):100V
gedetailleerde beschrijving:Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C:1.7A, 500mA
Email:[email protected]

Quick Request Quote

Onderdeel nummer
Aantal stuks
Bedrijf
E-mail
Telefoon
Comments

Verwante onderdelen voor EPC2107ENGRT

Beeld Onderdeel nummer fabrikanten Beschrijving Uitzicht
EPC2203 Image EPC2203 EPC GANFET N-CH 80V 1.7A 6SOLDER BAR Onderzoek
EPC2111 Image EPC2111 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2105ENGRT Image EPC2105ENGRT EPC MOSFET 2NCH 80V 9.5A DIE Onderzoek
EPC2105ENG Image EPC2105ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2104ENG Image EPC2104ENG EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2110ENGRT Image EPC2110ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2104 Image EPC2104 EPC TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG Onderzoek
EPC2103ENGRT Image EPC2103ENGRT EPC TRANS GAN SYM HALF BRDG 80V Onderzoek
EPC2106 Image EPC2106 EPC TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2111ENGRT Image EPC2111ENGRT EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2110 Image EPC2110 EPC MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE Onderzoek
EPC2107 Image EPC2107 EPC MOSFET 3 N-CH 100V 9BGA Onderzoek
EPC2104ENGRT Image EPC2104ENGRT EPC MOSFET 2NCH 100V 23A DIE Onderzoek
EPC2108ENGRT Image EPC2108ENGRT EPC TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE Onderzoek
EPC2105 Image EPC2105 EPC TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID Onderzoek
EPC2115ENGRT Image EPC2115ENGRT EPC 150 V GAN IC DUAL FET DRIVER Onderzoek
EPC2112ENGRT Image EPC2112ENGRT EPC 200 V GAN IC FET DRIVER Onderzoek
EPC2106ENGRT Image EPC2106ENGRT EPC TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE Onderzoek
EPC2202 Image EPC2202 EPC GANFET N-CH 80V 18A DIE Onderzoek
EPC2108 Image EPC2108 EPC MOSFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA Onderzoek

Latest Nieuws