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EPC2105ENG
EPC2105ENG
제품 모델:
EPC2105ENG
제조사:
EPC
기술:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
RoHS 현황:
무연 / RoHS 준수
수량 재고 있음:
83165 Pieces
배달 시간:
1-2 days (We have stocks to ship now)
생산 시간:
4-8 weeks
데이터 시트:
EPC2105ENG.pdf
문의

소개

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규격

내부 부품 번호 RO-EPC2105ENG
조건 Original New
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바꿔 놓음 See datasheet
아이디 @ VGS (일) (최대):2.5V @ 2.5mA
제조업체 장치 패키지:Die
연속:eGaN®
이드의 Vgs @ RDS에서 (최대):14.5 mOhm @ 20A, 5V
전력 - 최대:-
포장:Bulk
패키지 / 케이스:Die
다른 이름들:EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
작동 온도:-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형:Surface Mount
수분 민감도 (MSL):1 (Unlimited)
무연 여부 / RoHS 준수 여부:Lead free / RoHS Compliant
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds:300pF @ 40V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs:2.5nC @ 5V
FET 유형:2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징:GaNFET (Gallium Nitride)
소스 전압에 드레인 (Vdss):80V
상세 설명:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id):9.5A, 38A
Email:[email protected]

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