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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > EPC2105ENG
EPC2105ENG
EPC2105ENG
Modelo do Produto:
EPC2105ENG
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
83165 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
EPC2105ENG.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-EPC2105ENG
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 2.5mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:14.5 mOhm @ 20A, 5V
Power - Max:-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):80V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

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