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Casa > Productos > Productos semiconductores discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-matrices > EPC2105ENG
EPC2105ENG
EPC2105ENG
Número de pieza:
EPC2105ENG
Fabricante:
EPC
Descripción:
TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad en inventario:
83165 Pieces
El tiempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tiempo de producción:
4-8 weeks
Ficha de datos:
EPC2105ENG.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

Número de parte interno RO-EPC2105ENG
Condición Original New
País de origen Contact us
Marcado superior email us
Reemplazo See datasheet
VGS (th) (Max) @Id:2.5V @ 2.5mA
Paquete del dispositivo:Die
Serie:eGaN®
RDS (Max) @Id, Vgs:14.5 mOhm @ 20A, 5V
Potencia - Max:-
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:Die
Otros nombres:EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL):1 (Unlimited)
Estado sin plomo / Estado RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:300pF @ 40V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:2.5nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica de FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:80V
Descripción detallada:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:9.5A, 38A
Email:[email protected]

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