Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W9725G8KB25I TR Image W9725G8KB25I TR IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W631GG8MB-12 TR Image W631GG8MB-12 TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Έρευνα
W25Q128JVPIQ TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25P20VSNIG IC FLASH 2M SPI 40MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32BVSSJP IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W29GL256PH9T Image W29GL256PH9T IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W25Q16CVZPJG IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q128FVSIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W948D6KBHX5E IC SDRAM 256MBIT 46NM 60BGA Έρευνα
W25Q32JWSSIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q256FVFIF IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q16DVSSIQ IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W631GU8KB15I TR Image W631GU8KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q64CVZEIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64FVZPIF TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q80DVSSIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W29GL512SL9B TR Image W29GL512SL9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q128JVPIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25X40CLZPIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16DVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W972GG8JB-25 TR IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W9864G2JB-6I TR Image W9864G2JB-6I TR IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Έρευνα
W25Q128FVEIF IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29GL512PH9B TR Image W29GL512PH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W631GU8KB-15 TR Image W631GU8KB-15 TR IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25Q16VSSIG IC FLASH 16M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32JWZPIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W9816G6JH-5 TR Image W9816G6JH-5 TR IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II Έρευνα
W9864G2JH-6 IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II Έρευνα
W25M02GVTBIG TR Image W25M02GVTBIG TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 24TFBGA Έρευνα
W9464G6JH-5I Image W9464G6JH-5I IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W632GG6KB-12 Image W632GG6KB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W25Q16DVSNJP IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q32JWZPIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32BVSFJG IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25Q128FVEIF TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W972GG8JB25I IC DRAM 2G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W632GU8KB15I TR Image W632GU8KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W25X80VZPIG IC FLASH 8M SPI 75MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64FVSTIM IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25M02GVZEIG TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W631GU8MB15I IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 78BGA Έρευνα
W971GG6SB-18 Image W971GG6SB-18 IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W9816G6JB-6I TR Image W9816G6JB-6I TR IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q128FVBJQ TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W631GG6MB15I TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q80BVDAIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W29GL256SH9B TR Image W29GL256SH9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W947D2HBJX5E TR Image W947D2HBJX5E TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W988D6FBGX7E Image W988D6FBGX7E IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
εγγραφές 1,271