Линейна карта

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Winbond Electronics Corporation е компания, работеща в областта на паметта, която се занимава с проектиране, производство и продажби, за да предостави на своите клиенти глобални решения за памет с най-високо качество. Продуктовите линии на Winbond включват флаш памет за кодово съхранение, сериен и паралелен NAND, специална DRAM и мобилна DRAM.
Продуктите на Winbond се използват широко от компании във вертикалните пазари на IoT, като например компютри, свързани мултимедийни устройства, автомобили, мрежови системи и промишлени. Winbond предлага автомобилни и индустриални продукти с технология Flash и DRAM с поддръжка на дълголетие. Winbond има приблизително 2 200 служители по целия свят, включително 12-инчов FAB в централата в Тайчун, Тайван.
Изображение Номер на частта описание изглед
W632GU6KB15I Image W632GU6KB15I IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Разследване
W25Q32FVSSIQ TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W25M512JVBIQ Image W25M512JVBIQ IC FLASH 512M SPI 24TFBGA Разследване
W25Q64JVSSIM IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8SOIC Разследване
W25Q16BVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W25Q80BLZPIG TR IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON Разследване
W25P10VSNIG IC FLASH 1M SPI 40MHZ 8SOIC Разследване
W25Q16CVSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W631GU8KB-12 Image W631GU8KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Разследване
W631GG8KB15I Image W631GG8KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Разследване
W631GG8KB-12 Image W631GG8KB-12 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Разследване
W632GU6MB15I TR Image W632GU6MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Разследване
W631GU6MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Разследване
W25Q16DVSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W25Q32DWSSIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W988D6FBGX6I Image W988D6FBGX6I IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Разследване
W948D6FBHX5E TR Image W948D6FBHX5E TR IC DRAM 256M PARALLEL 60VFBGA Разследване
W25Q40BWSNIG TR IC FLASH 4M SPI 80MHZ 8SOIC Разследване
W949D6DBHX5E Image W949D6DBHX5E IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Разследване
W632GG6MB-09 Image W632GG6MB-09 IC DRAM 2G PARALLEL 1066MHZ Разследване
W25Q80EWSNIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W632GG6KB15I TR Image W632GG6KB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 96WBGA Разследване
W25Q64FVSF00 IC FLASH 64M SPI 104MHZ 16SOIC Разследване
W25Q32JVDAIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8DIP Разследване
W631GG6MB15J IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Разследване
W631GU6MB-15 TR IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA Разследване
W25Q32FVSSIP TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W9751G6KB-18 TR Image W9751G6KB-18 TR IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Разследване
W98AD2KBJX6I TR 1GB MSDR X32 166MHZ IND Разследване
W25Q256FVFIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 16SOIC Разследване
W631GU8MB12I TR IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 78BGA Разследване
W25Q128BVEJP IC FLASH MEMORY 128MB Разследване
W25Q32BVTBJP IC FLASH MEMORY 32MB Разследване
W631GG6KB-15 Image W631GG6KB-15 IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Разследване
W25Q128FVFJP IC FLASH MEMORY 128MB Разследване
W25Q32JVTBIQ Image W25Q32JVTBIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA Разследване
W971GG8KB25I TR Image W971GG8KB25I TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Разследване
W25Q128JVBIQ Image W25Q128JVBIQ IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Разследване
W631GU6KB12I TR Image W631GU6KB12I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Разследване
W25Q32FVSSJQ TR IC FLASH MEMORY 32MB Разследване
W25Q80JVSNIQ IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC Разследване
W25Q32JVTCIQ Image W25Q32JVTCIQ IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA Разследване
W9751G8KB25I TR Image W9751G8KB25I TR IC DRAM 512M PARALLEL 60WBGA Разследване
W948D6FB2X5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Разследване
W25Q64FVZEIG TR IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Разследване
W25X10BVSNIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC Разследване
W948D2FBJX5E TR Image W948D2FBJX5E TR IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Разследване
W25Q64FVSSJQ IC FLASH MEMORY 64MB Разследване
W25Q80JVSNIQ TR IC FLASH 8M SPI 133MHZ 8SOIC Разследване
W29GL128CH9B Image W29GL128CH9B IC FLASH 128M PARALLEL 64LFBGA Разследване
Записва 1,271