Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W25X40CLSVIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q64FVZPJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q128FVCJF TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q16CLSNIG TR IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q32FVZEIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q128JVFIM TR IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q256FVEJQ IC FLASH MEMORY 256MB Έρευνα
W25Q128FVPIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q256FVEIF TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32JVTCIQ TR Image W25Q32JVTCIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 24TFBGA Έρευνα
W948D6DBHX5I IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Έρευνα
W25Q80EWSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W632GG8MB-12 Image W632GG8MB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 78VFBGA Έρευνα
W9812G2KB-6 Image W9812G2KB-6 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA Έρευνα
W9825G6JB-6 Image W9825G6JB-6 IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA Έρευνα
W9751G6KB-18 Image W9751G6KB-18 IC DRAM 512M PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W25Q80BLSNIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8SOIC Έρευνα
W9816G6IB-6 Image W9816G6IB-6 IC DRAM 16M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25X40CLUXIG TR Image W25X40CLUXIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8USON Έρευνα
W632GU6KB12J Image W632GU6KB12J IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W631GG6KB15I TR Image W631GG6KB15I TR IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W29GL256SL9B TR Image W29GL256SL9B TR IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25X40CLDAIG TR IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W972GG6JB-25 TR Image W972GG6JB-25 TR IC DRAM 2G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W25Q32JVSFIQ TR IC FLASH 32M SPI 133MHZ 16SOIC Έρευνα
W29GL512PL9B Image W29GL512PL9B IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q128JVSIM IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOIC Έρευνα
W25X05CLSNIG TR IC FLASH 512K SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W988D6FBGX6E TR Image W988D6FBGX6E TR IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W987D2HBJX6I TR Image W987D2HBJX6I TR IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W19B320ABB7H IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA Έρευνα
W25X40AVDAIZ IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8DIP Έρευνα
W25Q32BVSFJG TR IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W988D2FBJX7E Image W988D2FBJX7E IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W632GG6MB-12 TR Image W632GG6MB-12 TR IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W25Q64FWSTIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25Q128BVEJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W29N01HVDINF Image W29N01HVDINF IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA Έρευνα
W25Q128FVPIF TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29N02GWBIBA Image W29N02GWBIBA IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W971GG6SB-18 TR Image W971GG6SB-18 TR IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA Έρευνα
W9864G2JB-6I Image W9864G2JB-6I IC DRAM 64M PARALLEL 90TFBGA Έρευνα
W25B40VSNIG T&R IC FLASH 4M SPI 40MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64FVSH01 IC FLASH 64M SPI 104MHZ Έρευνα
W29N04GVBIAA Image W29N04GVBIAA IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W25X32VSFIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 16SOIC Έρευνα
W631GU6KB15I Image W631GU6KB15I IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA Έρευνα
W29GL512SH9B TR Image W29GL512SH9B TR IC FLASH 512M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25X20BVZPIG IC FLASH 2M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29GL256SH9B Image W29GL256SH9B IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
εγγραφές 1,271