Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W25Q16DVSNJG TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W9725G8KB-25 TR Image W9725G8KB-25 TR IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25X40BVDAIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8DIP Έρευνα
W632GU6AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W949D6DBHX5E TR Image W949D6DBHX5E TR IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q128BVFJP IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W25Q16DVSNIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W971GG8KB-25 Image W971GG8KB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W9812G6KH-5 Image W9812G6KH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W29N04GZBIBA Image W29N04GZBIBA IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W97AH2KBQX2E IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W25Q256FVEIG TR IC FLASH 256M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16CVSFIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W632GU8MB15I TR Image W632GU8MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W25Q80BLSVIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8VSOP Έρευνα
W631GG8KB-11 Image W631GG8KB-11 IC DRAM 1G PARALLEL 78WBGA Έρευνα
W9725G8KB-18 TR Image W9725G8KB-18 TR IC DRAM 256M PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W97AH6KBQX2I IC DRAM 1G PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W29GL032CB7B Image W29GL032CB7B IC FLASH 32M PARALLEL 64LFBGA Έρευνα
W25Q16CVSFIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q40CLZPIG IC FLASH 4M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W29N04GVSIAA Image W29N04GVSIAA IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP Έρευνα
W25Q80DLUXIE Image W25Q80DLUXIE IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8USON Έρευνα
W25Q64FVSTIQ IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W94AD6KBHX5E Image W94AD6KBHX5E IC DRAM 1G PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W9712G6KB-25 TR Image W9712G6KB-25 TR IC DRAM 128M PARALLEL 84TFBGA Έρευνα
W29GL512SH9T TR Image W29GL512SH9T TR IC FLASH 512M PARALLEL 56TSOP Έρευνα
W25Q80EWSSIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W9425G6KH-5 Image W9425G6KH-5 IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q64CVSFIG IC FLASH 64M SPI 80MHZ 16SOIC Έρευνα
W25X40VSSIG IC FLASH 4M SPI 75MHZ 8SOIC Έρευνα
W9864G6KH-6 TR Image W9864G6KH-6 TR IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W25Q16FWSNIQ TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W97AH6KBVX2E TR Image W97AH6KBVX2E TR IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
W25Q80BWZPIG IC FLASH 8M SPI 80MHZ 8WSON Έρευνα
W97AH6KBVX2I Image W97AH6KBVX2I IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA Έρευνα
W971GG8JB-25 Image W971GG8JB-25 IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W9812G6JH-6I Image W9812G6JH-6I IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W25Q64CVZPJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q64FVZPJQ IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W956D6HBCX7I TR Image W956D6HBCX7I TR IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA Έρευνα
W25Q16CVZPJG TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q16DVSSJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q16CVSSJG TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q256FVBJQ TR IC FLASH MEMORY 256MB Έρευνα
W632GG8AB-12 Image W632GG8AB-12 IC DRAM 2G PARALLEL 800MHZ Έρευνα
W971GG8SB-25 TR Image W971GG8SB-25 TR IC DRAM 1G PARALLEL 60WBGA Έρευνα
W25Q80BVZPIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W631GG6KS-12 IC SDRAM 1GBIT 96BGA Έρευνα
W25Q64JVZPIQ TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
εγγραφές 1,271