Κάρτα Γραμμής

Winbond Electronics Corporation

Winbond Electronics Corporation

- Η Winbond Electronics Corporation είναι μια εταιρεία μνήμης IC που ασχολείται με το σχεδιασμό, την κατασκευή και την υπηρεσία πωλήσεων για να παρέχει στους πελάτες της κορυφαίες λύσεις μνήμης κορυφαίας ποιότητας. Οι σειρές προϊόντων της Winbond περιλαμβάνουν τη μνήμη Flash Storage Code, το Serial και Parallel NAND, το Specialty DRAM και το Mobile DRAM.
Τα προϊόντα Winbond χρησιμοποιούνται ευρέως από τις εταιρείες στις κάθετες αγορές του IoT όπως η πληροφορική, οι συνδεδεμένες συσκευές πολυμέσων, η αυτοκινητοβιομηχανία, τα συστήματα δικτύωσης και η βιομηχανική. Η Winbond προσφέρει προϊόντα Flash και DRAM για την αυτοκινητοβιομηχανία και τη βιομηχανία -Plus με υποστήριξη μακροζωίας. Η Winbond έχει περίπου 2.200 υπαλλήλους παγκοσμίως, η οποία περιλαμβάνει ένα FAB 12 ιντσών στην έδρα της στο Taichung της Ταϊβάν.
Εικόνα Αριθμός εξαρτήματος Περιγραφή Θέα
W632GU8AB-11 IC DRAM 2G PARALLEL 933MHZ Έρευνα
W948D6FBHX5J IC SDRAM 256MBIT 65NM 60BGA Έρευνα
W25X10CLZPIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q16CVZPJP TR IC FLASH MEMORY 16MB Έρευνα
W25Q16DWSSIG TR IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FVEIP IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25X10CLSNIG IC FLASH 1M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64FVZEIF IC FLASH 64M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W979H2KBQX2I IC DRAM 512M PARALLEL 168WFBGA Έρευνα
W632GU6MB15I Image W632GU6MB15I IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W25Q32FVZEIG IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q80DVSVIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8VSOP Έρευνα
W25X40AVZPIG IC FLASH 4M SPI 100MHZ 8WSON Έρευνα
W25M512JVFIQ IC FLASH 512M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W632GG6MB-15 TR Image W632GG6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W25Q128FVCIG Image W25Q128FVCIG IC FLASH 128M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q64FVTBIG Image W25Q64FVTBIG IC FLASH 64M SPI 104MHZ 24TFBGA Έρευνα
W25Q257FVFIG TR IC FLASH 256MBIT 16SOIC Έρευνα
W632GG8MB15I TR Image W632GG8MB15I TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W9412G6KH-4 Image W9412G6KH-4 IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W632GU6MB-15 TR Image W632GU6MB-15 TR IC DRAM 2G PARALLEL 667MHZ Έρευνα
W631GU6MB12J IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA Έρευνα
W25Q64CVSFJG TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25X16AVDAIZ IC FLASH 16M SPI 75MHZ 8DIP Έρευνα
W29N01GWDIBA Image W29N01GWDIBA IC FLASH 1G PARALLEL 48VFBGA Έρευνα
W25M02GVZEIT TR IC FLASH 2G SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q32DWZEIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q64FVTCJQ TR IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W25Q16CLSSIG IC FLASH 16M SPI 50MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q256JVBIQ Image W25Q256JVBIQ IC FLASH 256M SPI 24TFBGA Έρευνα
W25Q80DVSNIG IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FVSIQ TR IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q128FVSIQ IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q16DWSSIG IC FLASH 16M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q64JVZEIM TR IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON Έρευνα
W29N04GWBIBA Image W29N04GWBIBA IC FLASH 4G PARALLEL 63VFBGA Έρευνα
W987D2HBJX6E Image W987D2HBJX6E IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA Έρευνα
W25Q32FVSFIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 16SOIC Έρευνα
W25Q32FVZPJQ IC FLASH MEMORY 32MB Έρευνα
W25X32VZEIG IC FLASH 32M SPI 75MHZ 8WSON Έρευνα
W25Q128BVFJP TR IC FLASH MEMORY 128MB Έρευνα
W9825G6KH-6I TR Image W9825G6KH-6I TR IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W9412G6KH-5 TR Image W9412G6KH-5 TR IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II Έρευνα
W25Q32DWSSIG TR IC FLASH 32M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W25Q80BVSSIG TR IC FLASH 8M SPI 104MHZ 8SOIC Έρευνα
W9825G6KH-6I Image W9825G6KH-6I IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W9812G6JH-5 Image W9812G6JH-5 IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP Έρευνα
W9864G6JB-6 Image W9864G6JB-6 IC DRAM 64M PARALLEL 60VFBGA Έρευνα
W25Q64CVSSJG IC FLASH MEMORY 64MB Έρευνα
W29N01HVSINF Image W29N01HVSINF IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP Έρευνα
εγγραφές 1,271
Προηγούμενος123456789101112131415ΕπόμενοςΤέλος