內部型號 | RO-PHU11NQ10T,127 |
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狀況 | Original New |
原產地 | Contact us |
頂部標記 | email us |
替代 | See datasheet |
VGS(TH)(最大)@標識: | 4V @ 1mA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
供應商設備封裝: | I-PAK |
系列: | TrenchMOS™ |
RDS(ON)(最大值)@標識,柵極電壓: | 180 mOhm @ 9A, 10V |
功率耗散(最大): | 57.7W (Tc) |
封装: | Tube |
封裝/箱體: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
其他名稱: | 934056349127 PHU11NQ10T PHU11NQ10T-ND |
工作溫度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
安裝類型: | Through Hole |
濕度敏感度等級(MSL): | 1 (Unlimited) |
無鉛狀態/ RoHS狀態: | Lead free / RoHS Compliant |
輸入電容(Ciss)(Max)@ Vds: | 360pF @ 25V |
柵極電荷(Qg)(Max)@ Vgs: | 14.7nC @ 10V |
FET型: | N-Channel |
FET特點: | - |
驅動電壓(最大Rds開,最小Rds開): | 10V |
漏極至源極電壓(Vdss): | 100V |
詳細說明: | N-Channel 100V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-PAK |
電流 - 25°C連續排水(Id): | 10.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |