内部モデル | RO-PHU11NQ10T,127 |
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状況 | Original New |
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代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 1mA |
Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | I-PAK |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 180 mOhm @ 9A, 10V |
電力消費(最大): | 57.7W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
他の名前: | 934056349127 PHU11NQ10T PHU11NQ10T-ND |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 360pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 14.7nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
詳細な説明: | N-Channel 100V 10.9A (Tc) 57.7W (Tc) Through Hole I-PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 10.9A (Tc) |
Email: | [email protected] |