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EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
型號:
EPC2110ENGRT
製造商:
EPC
描述:
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
RoHS狀態:
無鉛/符合RoHS
庫存數量:
52598 Pieces
發貨時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生產時間:
4-8 weeks
數據表:
EPC2110ENGRT.pdf
在線詢價

簡單介紹

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產品特性

內部型號 RO-EPC2110ENGRT
狀況 Original New
原產地 Contact us
頂部標記 email us
替代 See datasheet
VGS（TH）（最大）@標識:2.5V @ 700µA
供應商設備封裝:Die
系列:eGaN®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓:60 mOhm @ 4A, 5V
功率 - 最大:-
封装:Tape & Reel (TR)
封裝/箱體:Die
其他名稱:917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
工作溫度:-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型:Surface Mount
濕度敏感度等級（MSL）:1 (Unlimited)
製造商標準交貨期:16 Weeks
無鉛狀態/ RoHS狀態:Lead free / RoHS Compliant
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds:80pF @ 60V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs:0.8nC @ 5V
FET型:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特點:GaNFET (Gallium Nitride)
漏極至源極電壓（Vdss）:120V
詳細說明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
電流 - 25°C連續排水（Id）:3.4A
Email:[email protected]

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