Svenska
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Om oss | Kontakta oss | Begär ett citat |
Hem > Produkter > Diskreta halvledarprodukter > Transistorer - FET, MOSFET - Single > EPC2012C
EPC2012C
EPC2012C
Artikelnummer:
EPC2012C
Tillverkare:
EPC
Beskrivning:
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
RoHS-status:
Blyfri / Överensstämmer med RoHS
Antal i lager:
65626 Pieces
Leveranstid:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Produktionstid:
4-8 weeks
Datablad:
EPC2012C.pdf
Förfrågan

Introduktion

We can supply EPC2012C, use the request quote form to request EPC2012C pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2012C.The price and lead time for EPC2012C depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2012C.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikationer

Internt delnummer RO-EPC2012C
Tillstånd Original New
Ursprungsland Contact us
Toppmarkering email us
Ersättning See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Teknologi:GaNFET (Gallium Nitride)
Leverantörs Device Package:Die Outline (4-Solder Bar)
Serier:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3A, 5V
Effektdissipation (Max):-
Förpackning:Tape & Reel (TR)
Förpackning / Fodral:Die
Andra namn:917-1084-2
Driftstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Monteringstyp:Surface Mount
Fuktkänslighetsnivå (MSL):1 (Unlimited)
Tillverkarens normala ledtid:12 Weeks
Ledningsfri status / RoHS-status:Lead free / RoHS Compliant
Inputkapacitans (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 100V
Gate Laddning (Qg) (Max) @ Vgs:1.3nC @ 5V
FET-typ:N-Channel
FET-funktionen:-
Drivspänning (Max Rds På, Min Rds På):5V
Avlopp till källspänning (Vdss):200V
detaljerad beskrivning:N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
Ström - Kontinuerlig avlopp (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

Snabbsökcitation

Artikelnummer
Kvantitet
Företag
E-post
Telefon
kommentarer

Relaterade delar till EPC2012C

Bild Artikelnummer tillverkare Beskrivning Se
EPC1PI8 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Förfrågan
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Förfrågan
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Förfrågan
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Förfrågan
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Förfrågan

Latest News