Čeština
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
O nás | Kontaktujte nás | Požádejte o nabídku |
domů > produkty > Diskrétní polovodičové produkty > Tranzistory - FETs, MOSFETs - Single > EPC2012C
EPC2012C
EPC2012C
Part Number:
EPC2012C
Výrobce:
EPC
Popis:
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Stav RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
Množství na skladě:
65626 Pieces
Čas doručení:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Doba výroby:
4-8 weeks
Datový list:
EPC2012C.pdf
Dotaz

Úvod

We can supply EPC2012C, use the request quote form to request EPC2012C pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2012C.The price and lead time for EPC2012C depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2012C.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Číslo interní součásti RO-EPC2012C
Stav Original New
Země původu Contact us
Nejlepší značení email us
Výměna, nahrazení See datasheet
Vgs (th) (max) 'Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Technika:GaNFET (Gallium Nitride)
Dodavatel zařízení Package:Die Outline (4-Solder Bar)
Série:eGaN®
RDS On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3A, 5V
Ztráta energie (Max):-
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:Die
Ostatní jména:917-1084-2
Provozní teplota:-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Surface Mount
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:12 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:1.3nC @ 5V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):5V
Drain na zdroj napětí (Vdss):200V
Detailní popis:N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře

Související díly pro EPC2012C

Obraz Part Number Výrobci Popis Pohled
EPC1PI8 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Dotaz
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE Dotaz
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Dotaz
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE Dotaz
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Dotaz
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE Dotaz
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE Dotaz
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Dotaz
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE Dotaz
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE Dotaz
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE Dotaz
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE Dotaz
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Dotaz
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP Dotaz
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE Dotaz
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE Dotaz
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE Dotaz
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE Dotaz
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE Dotaz
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE Dotaz

Latest News