Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > EPC2012C
EPC2012C
EPC2012C
Modelo do Produto:
EPC2012C
Fabricante:
EPC
Descrição:
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
65626 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
EPC2012C.pdf
inquérito

Introdução

We can supply EPC2012C, use the request quote form to request EPC2012C pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2012C.The price and lead time for EPC2012C depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2012C.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Especificações

Número de peça interno RO-EPC2012C
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (Max):+6V, -4V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die Outline (4-Solder Bar)
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:100 mOhm @ 3A, 5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-1084-2
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:140pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.3nC @ 5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição detalhada:N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para EPC2012C

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
EPC1PI8 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP inquérito
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE inquérito
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE inquérito
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE inquérito
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE inquérito
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE inquérito
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE inquérito
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE inquérito
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE inquérito
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE inquérito
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE inquérito
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE inquérito
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE inquérito
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP inquérito
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE inquérito
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE inquérito
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE inquérito
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE inquérito
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE inquérito
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE inquérito

Latest Notícias