русский
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Svenska Ελλάδα Български език✕
О нас | Контакт | Запрос цитаты |
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - канальные транзисторы, полевые транз > EPC2012C
EPC2012C
EPC2012C
Тип продуктов:
EPC2012C
производитель:
EPC
Описание:
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
RoHS Статус:
Без свинца / Соответствует RoHS
Количество на складе:
65626 Pieces
Срок поставки:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Сроки изготовления:
4-8 weeks
Техническая спецификация:
EPC2012C.pdf
запрос

Введение

We can supply EPC2012C, use the request quote form to request EPC2012C pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number EPC2012C.The price and lead time for EPC2012C depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# EPC2012C.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Спецификация

Внутренний номер детали RO-EPC2012C
Состояние Original New
Страна происхождения Contact us
Топ маркировки email us
замена See datasheet
Vgs (й) (Max) @ Id:2.5V @ 1mA
Vgs (макс.):+6V, -4V
Технологии:GaNFET (Gallium Nitride)
Поставщик Упаковка устройства:Die Outline (4-Solder Bar)
Серии:eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs:100 mOhm @ 3A, 5V
Рассеиваемая мощность (макс):-
упаковка:Tape & Reel (TR)
Упаковка /:Die
Другие названия:917-1084-2
Рабочая Температура:-40°C ~ 150°C (TJ)
Тип установки:Surface Mount
Уровень чувствительности влаги (MSL):1 (Unlimited)
Стандартное время изготовления:12 Weeks
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds:140pF @ 100V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs:1.3nC @ 5V
Тип FET:N-Channel
FET Характеристика:-
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On):5V
Слить к источнику напряжения (VDSS):200V
Подробное описание:N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C:5A (Ta)
Email:[email protected]

Быстрый запрос Цитировать

Тип продуктов
Количество
Компания
Эл. почта
Телефон
Примечание

Связанные части для EPC2012C

Образ Тип продуктов Производители Описание Посмотреть
EPC1PI8 Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP запрос
EPC2001C Image EPC2001C EPC TRANS GAN 100V 36A BUMPED DIE запрос
EPC2007C Image EPC2007C EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE запрос
EPC2012 Image EPC2012 EPC TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE запрос
EPC2015 Image EPC2015 EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE запрос
EPC2015C Image EPC2015C EPC TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE запрос
EPC2019 Image EPC2019 EPC TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE запрос
EPC2014 Image EPC2014 EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE запрос
EPC2007 Image EPC2007 EPC TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE запрос
EPC2012CENGR Image EPC2012CENGR EPC TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE запрос
EPC2015CENGR Image EPC2015CENGR EPC TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE запрос
EPC2001 Image EPC2001 EPC TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE запрос
EPC2010C Image EPC2010C EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE запрос
EPC1PI8N Altera (Intel® Programmable Solutions Group) IC CONFIG DEVICE 1MBIT 8DIP запрос
EPC2014C Image EPC2014C EPC TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE запрос
EPC2010CENGR Image EPC2010CENGR EPC TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE запрос
EPC2018 Image EPC2018 EPC TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE запрос
EPC2010 Image EPC2010 EPC TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE запрос
EPC2016C Image EPC2016C EPC TRANS GAN 100V 18A BUMPED DIE запрос
EPC2016 Image EPC2016 EPC TRANS GAN 100V 11A BUMPED DIE запрос

Latest Новости