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EPC2012C
EPC2012C
部品型番:
EPC2012C
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
65626 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
EPC2012C.pdf
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規格

内部モデル RO-EPC2012C
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 1mA
Vgs（最大）:+6V, -4V
技術:GaNFET (Gallium Nitride)
サプライヤデバイスパッケージ:Die Outline (4-Solder Bar)
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:100 mOhm @ 3A, 5V
電力消費（最大）:-
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:Die
他の名前:917-1084-2
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:140pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:1.3nC @ 5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:200V
詳細な説明:N-Channel 200V 5A (Ta) Surface Mount Die Outline (4-Solder Bar)
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:5A (Ta)
Email:[email protected]

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