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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > EPC2110
EPC2110
EPC2110
Modelo do Produto:
EPC2110
Fabricante:
EPC
Descrição:
MOSFET 2NCH 120V 3.4A DIE
Status de RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade em estoque:
58258 Pieces
Tempo de entrega:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Tempo de produção:
4-8 weeks
Ficha de dados:
EPC2110.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Número de peça interno RO-EPC2110
Condição Original New
País de origem Contact us
Marcação superior email us
Substituição See datasheet
VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 700µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:Die
Série:eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:60 mOhm @ 4A, 5V
Power - Max:-
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:Die
Outros nomes:917-1152-1
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:80pF @ 60V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.8nC @ 5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET:GaNFET (Gallium Nitride)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):120V
Descrição detalhada:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 120V 3.4A Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:3.4A
Email:[email protected]

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