Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. ("Toshiba") heeft vandaag aangekondigd dat de eerste [1] 2200V met dubbele koolstof (SIC) MOSFET-module van de industrie in de industrie in de industrie --- "MG250YD2YMS3".De nieuwe module maakt gebruik van de 3e generatie SIC MOSFET -chip van Toshiba. De ratedwaarde van de afvoerstroom (DC) is 250A. Het is geschikt voor de toepassing van DC 1500V voor fotovoltaïsche stroomopwekkingssystemen en energieopslagsystemen.Het product is begonnen met het ondersteunen van batchzendingen vandaag.

De bovengenoemde industriële toepassingen gebruiken meestal DC 1000V of lager vermogen, en hun stroomapparaten zijn meestal 1200V- of 1700V -producten.DC 1500V zal naar verwachting echter de komende jaren veel worden gebruikt, dus heeft Toshiba de eerste 2200V -producten van de industrie vrijgegeven.

MG250YD2YMS3 heeft een lage lekkage-source loodspanning (sensor) van lage lekkage-source staaf (sensor) van lage-gidsverliezen en 0,7 V (typische waarden) [2].Bovendien heeft het ook lage opening en uit -cut -verliezen, die 14 MJ zijn (typische waarden) [3] en 11 MJ (typische waarden) [3]. Vergeleken met de typische silicium (SI) IGBT, is het ongeveer 90%[ 4].Deze kenmerken helpen de efficiëntie van apparatuur te verbeteren.Omdat de MG250YD2YMS3 een lager schakelverlies kan bereiken, kunnen gebruikers een klein aantal platte circuits gebruiken met een klein aantal modules om het traditionele circuit op drie niveau te vervangen, wat helpt het apparaat te miniatureren.

Toshiba zal blijven innoveren en blijven voldoen aan de vraag van de markt naar een hoge efficiëntie en miniaturisatie van industriële apparatuur.

sollicitatie:

Industrieel materiaal

-Het stroomopwekkingssysteem voor hernieuwbare energie (fotovoltaïsche stroomopwekkingssysteem, enz.)

-Nergy Storage System

-He Apparatuur voor industriële apparatuur voor industriële apparatuur

-De hoogfrequente DC-DC-converter en andere apparaten

kenmerk:

-De lage lekkage pool-source poolrichting spanning (sensor):

Vds (op) sense = 0.7V (typische waarde) (id = 250a, vgs = + 20V, tch = 25 ℃)

-Een lage -opening verlies:

Eon = 14MJ (typische waarde) (vdd = 1100V, id = 250a, tch = 150 ° C)

-Het lage verlies op ontkoppeling op niveau:

Eoff = 11mj (typische waarde) (vdd = 1100V, id = 250a, tch = 150 ° C)

-De lage parasitaire inductantie:

Lspn = 12nh (typische waarde)