Toshiba Electronic Component and Storage Device Co., Ltd. ( "Toshiba")는 오늘 업계 최초의 [1] 2200V 이중 탄소 화 실리콘 (SIC) MOSFET 모듈 --- "MG250YD2YMS3"을 발표했습니다.새로운 모듈은 Toshiba의 3 세대 SIC MOSFET 칩을 사용합니다. 드레인 전류 (DC) 정격 값은 250A입니다. 태양 광 발전 시스템 및 에너지 저장 시스템에 DC 1500V를 적용하는 데 적합합니다.이 제품은 오늘 배치 선적을 지원하기 시작했습니다.

위의 -언급 된 산업 응용 프로그램은 일반적으로 DC 1000V 이하의 전력을 사용하며 전력 장치는 대부분 1200V 또는 1700V 제품입니다.그러나 DC 1500V는 향후 몇 년 안에 널리 사용될 것으로 예상되므로 Toshiba는 업계 최초의 2200V 제품을 출시했습니다.

MG250YD2YMS3은 낮은 가이드 손실의 낮은 누설 소스로드 (센서)와 0.7V (일반적인 값)의 낮은 누설 소스 납 전압 (센서)을 갖는다 [2].또한 개구부 및 오프 컷 손실이 낮으며,이 손실은 14mJ (일반 값) [3] 및 11mj (일반 값) [3]입니다. 전형적인 실리콘 (SI) IGBT와 비교하여 약 90%입니다. 4].이러한 특성은 장비 효율성을 향상시키는 데 도움이됩니다.MG250YD2YMS3은 더 낮은 스위칭 손실을 달성 할 수 있으므로 사용자는 소량의 모듈이있는 소수의 평면 회로를 사용하여 기존 3 레벨 회로를 교체하여 장치의 소형화에 도움이 될 수 있습니다.

Toshiba는 계속해서 혁신을하고 산업 장비의 고효율 및 소형화에 대한 시장의 수요를 계속 충족시킬 것입니다.

애플리케이션:

산업용 장비

-재생 에너지 발전 시스템 (태양 광 발전 시스템 등)

-에너지 저장 시스템

-산업 장비 제어 장비

-고주파 DC-DC 컨버터 및 기타 장치

특성:

-낮은 누설 극 소스 극 방향 전압 (센서) :

vds (on) sense = 0.7v (일반적인 값) (ID = 250a, vgs = + 20v, tch = 25 ℃)

-열린 손실 :

eon = 14mj (일반적인 값) (vdd = 1100v, id = 250a, tch = 150 ° C)

-낮은 수준의 단절 손실 :

eoff = 11mj (일반적인 값) (vdd = 1100v, id = 250a, tch = 150 ° C)

-낮은 기생 인덕턴스 :

lspn = 12nh (일반적인 값)