SI4931DY-T1-GE3
- 部品型番:
- SI4931DY-T1-GE3
- 説明:
- MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
- RoHSステータス:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 46678 Pieces
- 配達時間:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- 生産時間:
- 4-8 weeks
- データシート:
- SI4931DY-T1-GE3.pdf
簡潔な
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規格
| 内部モデル | RO-SI4931DY-T1-GE3 |
|---|---|
| 状況 | Original New |
| 原産国 | Contact us |
| トップマーク | email us |
| 代替案 | See datasheet |
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1V @ 350µA |
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V |
| 電力 - 最大: | 1.1W |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 他の名前: | SI4931DY-T1-GE3TR SI4931DYT1GE3 |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 33 Weeks |
| 鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 52nC @ 4.5V |
| FETタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
| FET特長: | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 12V |
| 詳細な説明: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 6.7A |
| ベース部品番号: | SI4931 |
| Email: | [email protected] |
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