SI4931DY-T1-GE3
- Número de pieza:
- SI4931DY-T1-GE3
- Fabricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descripción:
- MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 46678 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- SI4931DY-T1-GE3.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-SI4931DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 1V @ 350µA |
| Paquete del dispositivo: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V |
| Potencia - Max: | 1.1W |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Otros nombres: | SI4931DY-T1-GE3TR SI4931DYT1GE3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 33 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 52nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Característica de FET: | Logic Level Gate |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 12V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.7A |
| Número de pieza base: | SI4931 |
| Email: | [email protected] |
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