Toshiba Electronic Component and Storage Device Co.、Ltd。（ "Toshiba"）は本日、業界初の[1] 2200Vデュアル炭化シリコン（原文）MOSFETモジュール---「MG250YD2YMS3」を発表しました。新しいモジュールは、東芝の第3世代SIC MOSFETチップを使用します。そのドレイン電流（DC）定格値は250Aです。太陽光発電システムとエネルギー貯蔵システムにDC 1500Vの適用に適しています。製品は本日、バッチ出荷をサポートし始めています。

上記の産業用アプリケーションは通常、DC 1000V以下を使用しており、その電源装置はほとんど1200Vまたは1700V製品です。ただし、DC 1500Vは今後数年間で広く使用されると予想されるため、東芝は業界初の2200V製品をリリースしました。

MG250YD2YMS3は、低ガイド損失と0.7V（典型的な値）の低漏れソースロッド（センサー）の漏れソースのリード電圧（センサー）が低い[2]。さらに、14MJ（典型的な値）[3]および11MJ（典型的な値）[3]である開口部の損失が低く、典型的なシリコン（SI）IGBTと比較して、約90％です[ 4]。これらの特性は、機器の効率を改善するのに役立ちます。MG250YD2YMS3はより低いスイッチング損失を達成できるため、ユーザーは少数のモジュールを備えた少数のフラットサーキットを使用して、従来の3レベル回路を置き換えることができます。これにより、デバイスの小型化に役立ちます。

東芝は引き続き革新を続け、産業機器の高効率と小型化に対する市場の需要を満たし続けます。

応用：

産業機器

- 再生可能エネルギー発電システム（太陽光発電発電システムなど）

- エネルギーストレージシステム

-che産業機器制御機器

- 高周波DC-DCコンバーターおよびその他のデバイス

特性：

- 低い漏れ柱 - ソースポール方向電圧（センサー）：

vds（on）sense = 0.7v（典型的な値）（id = 250a、vgs = + 20v、tch = 25℃）

- 低い損失：

EON = 14MJ（典型的な値）（VDD = 1100V、ID = 250A、TCH = 150°C）

- 低レベルの切断損失：

eoff = 11mj（典型的な値）（vdd = 1100v、id = 250a、tch = 150°C）

- 低い寄生インダクタンス：

lspn = 12nh（典型的な値）