SI4931DY-T1-GE3
- Modello di prodotti:
- SI4931DY-T1-GE3
- fabbricante:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Descrizione:
- MOSFET 2P-CH 12V 6.7A 8SOIC
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 46678 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- SI4931DY-T1-GE3.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-SI4931DY-T1-GE3 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Vgs (th) (max) a Id: | 1V @ 350µA |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 8-SO |
| Serie: | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V |
| Potenza - Max: | 1.1W |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Altri nomi: | SI4931DY-T1-GE3TR SI4931DYT1GE3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 33 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 52nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET: | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss): | 12V |
| Descrizione dettagliata: | Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 6.7A 1.1W Surface Mount 8-SO |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 6.7A |
| Numero di parte base: | SI4931 |
| Email: | [email protected] |
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