内部モデル | RO-SI4922BDY-T1-E3 |
---|---|
状況 | Original New |
原産国 | Contact us |
トップマーク | email us |
代替案 | See datasheet |
同上@ VGS(TH)(最大): | 1.8V @ 250µA |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 16 mOhm @ 5A, 10V |
電力 - 最大: | 3.1W |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | SI4922BDY-T1-E3TR SI4922BDYT1E3 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 33 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス: | Lead free / RoHS Compliant |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2070pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 62nC @ 10V |
FETタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
FET特長: | Standard |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
詳細な説明: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A 3.1W Surface Mount 8-SO |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 8A |
ベース部品番号: | SI4922 |
Email: | [email protected] |