Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BT151S-650R,118 Image BT151S-650R,118 THYRISTOR 650V 12A DPAK Inchiesta
OT397,118 Image OT397,118 TRIAC DPAK Inchiesta
PMDPB760ENX MOSFET AXIAL Inchiesta
BT137-600G,127 Image BT137-600G,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BT134W-600,135 Image BT134W-600,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA312B-800B,118 Image BTA312B-800B,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Inchiesta
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR Inchiesta
BT149D,112 Image BT149D,112 THYRISTOR 400V 0.8A TO92 Inchiesta
BTA216-600D,127 Image BTA216-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA201W-800E,115 Image BTA201W-800E,115 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
NXPS20H110C,127 Image NXPS20H110C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 110V TO220 Inchiesta
BT136B-600E,118 Image BT136B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A D2PAK Inchiesta
BTA208X-800B/L02Q BTA208X-800B/L02/TO-220F/STAND Inchiesta
BTA206X-800CT:127 Image BTA206X-800CT:127 TRIAC 800V 6A TO220F Inchiesta
BTA201W-600E,115 Image BTA201W-600E,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA204S-800C,118 Image BTA204S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
BTA312X-800C/L02Q BTA312X-800C/L02/TO-220F/STAND Inchiesta
BYV415J-600PQ BYV415J-600PQ TO3PF STANDARD M Inchiesta
BT139-800,127 Image BT139-800,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BTA425X-800BTQ Image BTA425X-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220F Inchiesta
BTA410Y-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Inchiesta
BUJ403A/DG,127 Image BUJ403A/DG,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Inchiesta
ACTT6B-800E,118 Image ACTT6B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 6A D2PAK Inchiesta
BYC8-600,127 Image BYC8-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Inchiesta
Z0103NA,412 Image Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA204W-600C,135 Image BTA204W-600C,135 TRIAC 600V 1A SC73 Inchiesta
BT139-800G,127 Image BT139-800G,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
PHD13003C,412 Image PHD13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Inchiesta
ACTT2W-800ETNF ACTT2W-800ETN SC-70 STANDARD Inchiesta
BTA204X-800C,127 Image BTA204X-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220-3 Inchiesta
BT169D/DG,126 Image BT169D/DG,126 THYRISTOR 400V 500MA TO92-3 Inchiesta
BUJD103AD,118 Image BUJD103AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Inchiesta
BYV415K-600PQ Image BYV415K-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P Inchiesta
BTA201-600E,112 Image BTA201-600E,112 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA204-800E,127 Image BTA204-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB Inchiesta
BTA416Y-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA2008-1000DNML BTA2008-1000DNML/SOT54/STANDARD Inchiesta
BTA312X-600B,127 Image BTA312X-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220F Inchiesta
BT136X-600,127 Image BT136X-600,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Inchiesta
BT148-600R,127 Image BT148-600R,127 THYRISTOR 600V 4A SOT82 Inchiesta
BT152B-600R,118 Image BT152B-600R,118 THYRISTOR 650V 20A D2PAK Inchiesta
BTA316-600BT,127 Image BTA316-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
PHD13005,127 Image PHD13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Inchiesta
BYC8B-600,118 Image BYC8B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK Inchiesta
BTA140-600,127 Image BTA140-600,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Inchiesta
BT151-650R,127 Image BT151-650R,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Inchiesta
OT413,127 TRIAC STANDARD 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BT137S-600,118 Image BT137S-600,118 TRIAC STANDARD 600V 8A DPAK Inchiesta
BT137-600/L01,127 Image BT137-600/L01,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
Records 873