Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
ACTT6-800CNQ ACTT6-800CN/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
ACTT8X-800C0TQ ACTT8X-800C0T/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BT151U-800C,127 Image BT151U-800C,127 THYRISTOR 800V 12A SOT533 Inchiesta
BTA312X-600E/DGQ Image BTA312X-600E/DGQ TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220F Inchiesta
OT408,135 Image OT408,135 TRIAC STANDARD TO261-4 Inchiesta
BTA204-800B,127 Image BTA204-800B,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Inchiesta
BYV42E-200,127 Image BYV42E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 30A TO220AB Inchiesta
BT137S-600F,118 Image BT137S-600F,118 TRIAC 600V 8A DPAK Inchiesta
BTA204X-600C,127 Image BTA204X-600C,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Inchiesta
BTA316X-600E/DG,12 Image BTA316X-600E/DG,12 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220F Inchiesta
BYV410-600,127 Image BYV410-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220AB Inchiesta
BUJ103AD,118 Image BUJ103AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Inchiesta
BT137X-800E,127 Image BT137X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220-3 Inchiesta
TB100ML TB100/TO-92/STANDARD MARKING * Inchiesta
BTA208X-800B,127 Image BTA208X-800B,127 TRIAC 800V 8A TO220F Inchiesta
BTA212B-600F,118 Image BTA212B-600F,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
BYT79-600,127 Image BYT79-600,127 DIODE GEN PURP 600V 15A TO220AC Inchiesta
BYR5D-1200PJ BYR5D-1200PDPAK Q1 T1 STANDARD M Inchiesta
BT137-600E/DG Image BT137-600E/DG TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Inchiesta
BT155K-1200TQ Image BT155K-1200TQ SCR 1200V 79A TO3P-3 Inchiesta
BTA216-600E,127 Image BTA216-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BTA312X-600E,127 Image BTA312X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
Z0103NA0,412 Image Z0103NA0,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BYV29-500,127 Image BYV29-500,127 DIODE GEN PURP 500V 9A TO220AC Inchiesta
BTA208-800B,127 Image BTA208-800B,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
TYN20X-800T,127 Image TYN20X-800T,127 SCR 800V 210A TO-220F Inchiesta
BTA310X-800C,127 Image BTA310X-800C,127 TRIAC 800V 10A TO220F Inchiesta
BYV32EB-200,118 Image BYV32EB-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 20A D2PAK Inchiesta
ACTT8B-800C0J ACTT8B-800C0/D2PAK/REEL 13" Q1 Inchiesta
ACTT12-800CTNQ ACTT12-800CTN/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
BTA216X-600D,127 Image BTA216X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BYV25FX-600,127 Image BYV25FX-600,127 DIODE GEN PURP 600V 5A TO220F Inchiesta
BT137X-600E,127 Image BT137X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220-3 Inchiesta
WNS40H100CQ WNS40H100CQ/SOT78/STANDARD MARKI Inchiesta
ACTT4X-800C,127 Image ACTT4X-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220F Inchiesta
NXPSC04650Q Image NXPSC04650Q DIODE SCHOTTKY 650V 4A TO220AC Inchiesta
Z0107NA,412 Image Z0107NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
NXPS20H100C,127 Image NXPS20H100C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220 Inchiesta
BTA202X-800E/L01,1 Image BTA202X-800E/L01,1 TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220F Inchiesta
BT139B-800G,118 Image BT139B-800G,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
BT138X-600,127 Image BT138X-600,127 TRIAC 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BT139X-600F/DG,127 Image BT139X-600F/DG,127 TRIAC 600V 16A TO220F Inchiesta
BTA316X-600C,127 Image BTA316X-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BT139X-600G,127 Image BT139X-600G,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
ACT108-800EQP Image ACT108-800EQP TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO-92 Inchiesta
BYC5-600,127 Image BYC5-600,127 DIODE GEN PURP 500V 5A TO220AC Inchiesta
BT138-600-0TQ BT138-600-0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BYW29E-100,127 Image BYW29E-100,127 DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC Inchiesta
BTA312X-600C,127 Image BTA312X-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220F Inchiesta
BTA204S-800B,118 Image BTA204S-800B,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
Records 873