Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BYQ28E-200,127 Image BYQ28E-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
BYQ28E-200/H,127 Image BYQ28E-200/H,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
BT137X-600G,127 Image BT137X-600G,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BUJ100,126 Image BUJ100,126 TRANS NPN 400V 1A TO92 Inchiesta
BT169D,116 Image BT169D,116 THYRISTOR 400V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BT139X-800,127 Image BT139X-800,127 TRIAC 800V 16A TO220-3 Inchiesta
TYN16B-600CTJ TYN16B-600CTJ D2PAK Q1 T1 Inchiesta
OT407,412 TRIAC SOT54A Inchiesta
BTA208X-1000B,127 Image BTA208X-1000B,127 TRIAC ALTERNISTOR 1KV 8A TO220-3 Inchiesta
BT137X-800,127 Image BT137X-800,127 TRIAC 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BT138-600-0Q BT138-600-0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA208X-600F/L01Q BTA208X-600F/L01/TO-220F/STAND Inchiesta
BT138-800,127 Image BT138-800,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BYC58X-600,127 Image BYC58X-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
N0118GA,116 Image N0118GA,116 SCR SENS 600V 800MA SOT54 TO-92 Inchiesta
BT139-800E,127 Image BT139-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220AB Inchiesta
BT134-800E,127 Image BT134-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A SOT82-3 Inchiesta
BT138Y-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Inchiesta
BTA212X-600F,127 Image BTA212X-600F,127 TRIAC 600V 12A TO220F Inchiesta
BT136S-800F,118 Image BT136S-800F,118 TRIAC 800V 4A DPAK Inchiesta
BYV34X-600,127 Image BYV34X-600,127 DIODE ARRAY GP 600V 20A TO220-3 Inchiesta
MAC97A6,116 Image MAC97A6,116 TRIAC SENS GATE 400V 0.6A TO92-3 Inchiesta
BTA310X-600C,127 Image BTA310X-600C,127 TRIAC 600V 10A TO220F Inchiesta
ACTT16-800CTNQ ACTT16-800CTN/SIL3P/STANDARD M Inchiesta
BT136S-600E,118 Image BT136S-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A DPAK Inchiesta
BYC8X-600P,127 Image BYC8X-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F Inchiesta
BT169HML BT169H/TO-92/STANDARD MARKING Inchiesta
BTA316B-800C,118 Image BTA316B-800C,118 TRIAC 800V 16A D2PAK Inchiesta
BT149G,126 Image BT149G,126 THYRISTOR 600V 0.8A TO-92 Inchiesta
BT138Y-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA2008W-800D,135 Image BTA2008W-800D,135 TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73 Inchiesta
BTA208S-800B,118 Image BTA208S-800B,118 TRIAC 800V 8A DPAK Inchiesta
BTA312-800B,127 Image BTA312-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BT151X-500RNQ Image BT151X-500RNQ BT151X-500RN/TO-220F/STANDARD Inchiesta
ACTT12-800CTQ ACTT12-800CT/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BT131-800E,412 Image BT131-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BT169G-L,412 Image BT169G-L,412 THYRISTOR 600V SOT54 Inchiesta
Z0107NN,135 Image Z0107NN,135 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Inchiesta
BTA408X-1000C0TQ Image BTA408X-1000C0TQ BTA408X-1000C0TQ/TO-220F/STANDAR Inchiesta
BTA216-600B,127 Image BTA216-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BYC10-600PQ Image BYC10-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220AC Inchiesta
BT131-600D,412 Image BT131-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BT152-600R,127 Image BT152-600R,127 THYRISTOR 20A 650V TO220AB Inchiesta
BTA310-800D,127 Image BTA310-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Inchiesta
BTA410X-800CT,127 Image BTA410X-800CT,127 TRIAC 800V 10A TO220F Inchiesta
BTA212B-800E,118 Image BTA212B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Inchiesta
ACTT2S-800E,118 Image ACTT2S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 2A DPAK Inchiesta
BTA312-800C,127 Image BTA312-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BTA208S-600F,118 Image BTA208S-600F,118 TRIAC 600V 8A DPAK Inchiesta
BT131W-600,135 Image BT131W-600,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
Records 873