Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BYC20-600,127 Image BYC20-600,127 DIODE GEN PURP 500V 20A TO220AC Inchiesta
PHE13009,127 Image PHE13009,127 TRANS NPN 400V 12A TO220AB Inchiesta
BTA204-600F,127 Image BTA204-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220AB Inchiesta
BTA410X-800ET,127 Image BTA410X-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Inchiesta
BTA316-600ET/DGQ BTA316-600ET/DG/SIL3P/STANDARD Inchiesta
BTA316X-800CTQ Image BTA316X-800CTQ BTA316X-800CTQ/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BT137-600/DG,127 Image BT137-600/DG,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BT137-600,127 Image BT137-600,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Inchiesta
BTA410Y-800BT,127 TRIAC 800V 10A TO220AB Inchiesta
BTA312B-600CT,118 Image BTA312B-600CT,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
BUJD105AD,118 Image BUJD105AD,118 TRANS NPN 400V 8A DPAK Inchiesta
BTA316-600C,127 Image BTA316-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT169H-LML BT169H-L/TO-92/STANDARD MARKIN Inchiesta
TYN20-800T,127 Image TYN20-800T,127 SCR 800V 210A TO-220AB Inchiesta
BT137-800,127 Image BT137-800,127 TRIAC 800V 8A TO220AB Inchiesta
ACTT2X-800ETNQ ACTT2X-800ETN TO-220F STANDARD Inchiesta
BYW29E-150,127 Image BYW29E-150,127 DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC Inchiesta
ACTT12X-800CTQ ACTT12X-800CT/TO-220F/STANDARD Inchiesta
BTH151S-650R,118 Image BTH151S-650R,118 THYRISTOR 12A 650V DPAK Inchiesta
BYV10X-600PQ Image BYV10X-600PQ DIODE GEN PURP 600V 10A TO220-2 Inchiesta
BTA208S-600E,118 Image BTA208S-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 8A DPAK Inchiesta
BYC8-600P,127 Image BYC8-600P,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Inchiesta
BTA312-600C,127 Image BTA312-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
OT406,135 Image OT406,135 TRIAC SC73 Inchiesta
BTA312-600D,127 Image BTA312-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA212X-600D,127 Image BTA212X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BT137B-600F,118 Image BT137B-600F,118 TRIAC 600V 8A D2PAK Inchiesta
OT407,126 TRIAC SOT54A Inchiesta
BTA216X-600E,127 Image BTA216X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BT137-600D,127 Image BT137-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 8A TO220AB Inchiesta
WNS20S100CQ WNS20S100CQ/SIL3P/STANDARD MARKI Inchiesta
BTA212-600E,127 Image BTA212-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BT138-600G0Q BT138-600G0/SIL3P/STANDARD MAR Inchiesta
NXPS20H100CX,127 Image NXPS20H100CX,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 100V TO220F Inchiesta
Z0109MAML Z0109MA/TO-92/STANDARD MARKING Inchiesta
BT136X-600D,127 Image BT136X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220-3 Inchiesta
BTA312-800ET,127 Image BTA312-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 12A TO220AB Inchiesta
BT132-600D,412 Image BT132-600D,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
PHE13005,127 Image PHE13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Inchiesta
BT145-800RTQ BT145-800RTQ SIL3P STANDARD Inchiesta
BTA212-800B,127 Image BTA212-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
TYN16-600CT,127 Image TYN16-600CT,127 IC SCR 16A 600V TO220AB Inchiesta
BT258X-600R,127 Image BT258X-600R,127 THYRISTOR 600V 8A SOT186A Inchiesta
BYV32EB-200PQ Image BYV32EB-200PQ BYV32EB-200PQ/TO263/STANDARD MAR Inchiesta
BTA312G-600CTQ BTA312G-600CT/I2PAK/STANDARD M Inchiesta
BT138B-600E,118 Image BT138B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BTA45-800BQ Image BTA45-800BQ BTA45-800BQ/II TO3P/STANDARD MAR Inchiesta
BTA204X-600F/L03Q Image BTA204X-600F/L03Q TRIAC 600V 4A Inchiesta
BYV72EW-200,127 Image BYV72EW-200,127 DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247-3 Inchiesta
BTA410X-600ET,127 Image BTA410X-600ET,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220F Inchiesta
Records 873