Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BT150S-600R,118 Image BT150S-600R,118 THYRISTOR 600V 4A DPAK Inchiesta
BTA310-600D,127 Image BTA310-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA312B-800E,118 Image BTA312B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 12A D2PAK Inchiesta
BYV29B-500,118 Image BYV29B-500,118 DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK Inchiesta
BT139B-600G,118 Image BT139B-600G,118 TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
Z0109MA0,412 Image Z0109MA0,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA412Y-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA412Y-800ETQ BTA412Y-800ET SIL3P STANDARD Inchiesta
BTA206-800CT,127 Image BTA206-800CT,127 TRIAC 800V 6A TO220AB Inchiesta
BTA440Z-800BTQ Image BTA440Z-800BTQ TRIAC STANDARD 800V 40A TO3P-3 Inchiesta
ACT108-600E,412 Image ACT108-600E,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3 Inchiesta
ACTT10B-800CTNJ ACTT10B-800CTNJ/D2PAK Inchiesta
BT138X-600E,127 Image BT138X-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA2008-800E,412 Image BTA2008-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BYQ72EW-200Q DIODE ARRAY GP 200V 15A TO247-3 Inchiesta
BT134W-600D,115 Image BT134W-600D,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
MAC97A8,412 Image MAC97A8,412 TRIAC SENS GATE 600V 0.6A TO92-3 Inchiesta
OT386,127 TRIAC SC73 Inchiesta
BT1308W-600D,115 Image BT1308W-600D,115 TRIAC SENS GATE 600V 0.8A SC73 Inchiesta
BTA212-600D,127 Image BTA212-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220AB Inchiesta
BUJ302AD,118 Image BUJ302AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Inchiesta
BTA416Y-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BTA204-800C/DG,127 Image BTA204-800C/DG,127 TRIAC 800V 4A TO220AB Inchiesta
BT138X-600D,127 Image BT138X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 12A TO220-3 Inchiesta
BT152-400R,127 Image BT152-400R,127 THYRISTOR 20A 450V TO220AB Inchiesta
BTA310X-800D,127 Image BTA310X-800D,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220F Inchiesta
NCR100-8MR NCR100-8M/TO-236AB/REEL 7" Q3/ Inchiesta
BT137S-800G,118 Image BT137S-800G,118 TRIAC 800V 8A DPAK Inchiesta
BT148-400R,127 Image BT148-400R,127 THYRISTOR 400V 4A SOT82 Inchiesta
TYN16-600RTQ Image TYN16-600RTQ IC SCR 16A 600V TO220AB Inchiesta
N0118GAML Image N0118GAML THYRISTOR SCR 600V 8A TO-92 Inchiesta
BTA225B-800BTJ BTA225B-800BT/D2PAK/REEL 13" Q Inchiesta
BTA310X-600D,127 Image BTA310X-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220F Inchiesta
BYC10DX-600,127 Image BYC10DX-600,127 DIODE GEN PURP 500V 10A TO220F Inchiesta
BTA140-600-0Q BTA140-600-0/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BT137B-800F,118 Image BT137B-800F,118 TRIAC 800V 8A D2PAK Inchiesta
BTA312Y-800C,127 TRIAC 800V 12A TO220AB Inchiesta
BYV32EB-200PJ Image BYV32EB-200PJ BYV32EB-200PQ TO263 STANDARD MAR Inchiesta
BTA425Y-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220AB Inchiesta
BTA312B-600C,118 Image BTA312B-600C,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
Z0107MA,412 Image Z0107MA,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA208S-800F,118 Image BTA208S-800F,118 TRIAC 800V 8A DPAK Inchiesta
BTA312Y-600C,127 TRIAC 600V 12A TO220AB Inchiesta
BTA201-800E,412 Image BTA201-800E,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA140-600G0Q BTA140-600G0/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
BT137-600G0TQ Image BT137-600G0TQ TRIAC 600V 8A Inchiesta
WNS20H100CQ WNS20H100CQ/SOT78/STANDARD MARKI Inchiesta
BTA2008-800D,412 Image BTA2008-800D,412 TRIAC SENS GATE 800V 0.8A TO92-3 Inchiesta
BYW29EX-200,127 Image BYW29EX-200,127 DIODE GEN PURP 200V 8A TO220F Inchiesta
MCR08BT1,115 Image MCR08BT1,115 THYRISTOR 0.8A 200V SOT223 Inchiesta
Records 873