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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, es la empresa conjunta global entre NXP Semiconductors N.V. y Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors se inauguró oficialmente el 19 de enero de 2016 con el centro de negocios y operaciones ubicado en Shanghai, China. WeEn Semiconductors está registrada en la ciudad de Nanchang, que es la capital de la provincia de Jiangxi, China. Es propietaria total de subsidiarias y sucursales en la ciudad de Jilin para la producción bipolar, en Shanghai y el Reino Unido para I + D y soporte de producción, en Hong Kong para actividades de ventas y en muchos otros países para ventas y servicios al cliente, respectivamente.
Como actor clave en la industria de semiconductores, WeEn combina la avanzada tecnología de energía bipolar y el fuerte recurso de JAC Capital en la industria manufacturera y los canales de distribución chinos, para centrarse en el desarrollo de una cartera completa de productos de energía bipolar líderes en la industria, incluidos los rectificadores controlados por silicio. diodos de potencia, transistores de alto voltaje, carburo de silicio que se utilizan ampliamente en los mercados de automóviles, telecomunicaciones, computadoras y electrónica de consumo, electrodomésticos inteligentes, iluminación y administración de energía. El objetivo es ayudar a los clientes a lograr una mayor eficiencia en los costos y la producción y contribuir al desarrollo de China y la fabricación inteligente global.
La cartera de productos de la División Bi-Polar de NXP (diodos, tiristores y transistores) se ha transferido a WeEn Semiconductors (19 de enero de 2017).
Imagen Número de pieza Descripción Ver
BT151S-650R,118 Image BT151S-650R,118 THYRISTOR 650V 12A DPAK Investigación
OT397,118 Image OT397,118 TRIAC DPAK Investigación
PMDPB760ENX MOSFET AXIAL Investigación
BT137-600G,127 Image BT137-600G,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
BT134W-600,135 Image BT134W-600,135 TRIAC 600V 1A SC73 Investigación
BTA312B-800B,118 Image BTA312B-800B,118 TRIAC 800V 12A D2PAK Investigación
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR Investigación
BT149D,112 Image BT149D,112 THYRISTOR 400V 0.8A TO92 Investigación
BTA216-600D,127 Image BTA216-600D,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Investigación
BTA201W-800E,115 Image BTA201W-800E,115 TRIAC SENS GATE 800V 1A SC73 Investigación
NXPS20H110C,127 Image NXPS20H110C,127 DIODE ARRAY SCHOTTKY 110V TO220 Investigación
BT136B-600E,118 Image BT136B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 4A D2PAK Investigación
BTA208X-800B/L02Q BTA208X-800B/L02/TO-220F/STAND Investigación
BTA206X-800CT:127 Image BTA206X-800CT:127 TRIAC 800V 6A TO220F Investigación
BTA201W-600E,115 Image BTA201W-600E,115 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Investigación
BTA204S-800C,118 Image BTA204S-800C,118 TRIAC 800V 4A DPAK Investigación
BTA312X-800C/L02Q BTA312X-800C/L02/TO-220F/STAND Investigación
BYV415J-600PQ BYV415J-600PQ TO3PF STANDARD M Investigación
BT139-800,127 Image BT139-800,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BTA425X-800BTQ Image BTA425X-800BTQ TRIAC 800V 25A TO220F Investigación
BTA410Y-800ET,127 TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220AB Investigación
BUJ403A/DG,127 Image BUJ403A/DG,127 TRANS NPN 550V 6A TO220AB Investigación
ACTT6B-800E,118 Image ACTT6B-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 6A D2PAK Investigación
BYC8-600,127 Image BYC8-600,127 DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC Investigación
Z0103NA,412 Image Z0103NA,412 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Investigación
BTA204W-600C,135 Image BTA204W-600C,135 TRIAC 600V 1A SC73 Investigación
BT139-800G,127 Image BT139-800G,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Investigación
BT131-600/DG,412 Image BT131-600/DG,412 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
PHD13003C,412 Image PHD13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Investigación
ACTT2W-800ETNF ACTT2W-800ETN SC-70 STANDARD Investigación
BTA204X-800C,127 Image BTA204X-800C,127 TRIAC 800V 4A TO220-3 Investigación
BT169D/DG,126 Image BT169D/DG,126 THYRISTOR 400V 500MA TO92-3 Investigación
BUJD103AD,118 Image BUJD103AD,118 TRANS NPN 400V 4A DPAK Investigación
BYV415K-600PQ Image BYV415K-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO3P Investigación
BTA201-600E,112 Image BTA201-600E,112 TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Investigación
BTA204-800E,127 Image BTA204-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220AB Investigación
BTA416Y-600B,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
BTA2008-1000DNML BTA2008-1000DNML/SOT54/STANDARD Investigación
BTA312X-600B,127 Image BTA312X-600B,127 TRIAC 600V 12A TO220F Investigación
BT136X-600,127 Image BT136X-600,127 TRIAC 600V 4A TO220-3 Investigación
BT148-600R,127 Image BT148-600R,127 THYRISTOR 600V 4A SOT82 Investigación
BT152B-600R,118 Image BT152B-600R,118 THYRISTOR 650V 20A D2PAK Investigación
BTA316-600BT,127 Image BTA316-600BT,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Investigación
PHD13005,127 Image PHD13005,127 TRANS NPN 400V 4A TO220AB Investigación
BYC8B-600,118 Image BYC8B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 8A D2PAK Investigación
BTA140-600,127 Image BTA140-600,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Investigación
BT151-650R,127 Image BT151-650R,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Investigación
OT413,127 TRIAC STANDARD 600V 12A TO220-3 Investigación
BT137S-600,118 Image BT137S-600,118 TRIAC STANDARD 600V 8A DPAK Investigación
BT137-600/L01,127 Image BT137-600/L01,127 TRIAC 600V 8A TO220AB Investigación
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