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WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
NURS360BJ Image NURS360BJ DIODE GEN PURP 600V 3A SOD132 Inchiesta
BTA225-600B,127 Image BTA225-600B,127 TRIAC 600V 25A TO220AB Inchiesta
BT258S-800R,118 Image BT258S-800R,118 THYRISTOR 800V 8A DPAK Inchiesta
BTA420-800BT,127 Image BTA420-800BT,127 TRIAC 800V 20A TO220AB Inchiesta
BT138B-600,118 Image BT138B-600,118 TRIAC 600V 12A D2PAK Inchiesta
BT168GWF,115 Image BT168GWF,115 SCR SENS 600V 1A SOT-223 Inchiesta
PHE13003C,412 Image PHE13003C,412 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Inchiesta
BTA212X-800B,127 Image BTA212X-800B,127 TRIAC 800V 12A TO220-3 Inchiesta
BTA416Y-600C,127 TRIAC 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT151-650L,127 Image BT151-650L,127 THYRISTOR 12A 650V TO220AB Inchiesta
PHD13003C,126 Image PHD13003C,126 TRANS NPN 400V 1.5A SOT54 Inchiesta
EC103D1WX Image EC103D1WX SCR SENS GATE 400V SC-73 Inchiesta
BT137X-600F/L02Q BT137X-600F/L02/TO-220F/STANDA Inchiesta
BYV415W-600PQ Image BYV415W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 15A TO247 Inchiesta
NXPSC20650Q Image NXPSC20650Q DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220AC Inchiesta
BT136X-800E,127 Image BT136X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220-3 Inchiesta
BTA420X-800CT/L02Q Image BTA420X-800CT/L02Q TRIAC 800V 20A Inchiesta
ACTT10X-800EQ Image ACTT10X-800EQ TRIAC SENS GATE 800V 10A TO220FP Inchiesta
BT258-800R,127 Image BT258-800R,127 THYRISTOR 800V 8A TO220AB Inchiesta
BTA204X-600F,127 Image BTA204X-600F,127 TRIAC 600V 4A TO220F Inchiesta
BTA410Y-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220AB Inchiesta
BT151S-650L,118 Image BT151S-650L,118 THYRISTOR 500V 12A DPAK Inchiesta
BTA312X-800C/L01,1 Image BTA312X-800C/L01,1 TRIAC 800V 12A TO220F Inchiesta
Records 873
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