Scheda linea

WeEn Semiconductors Co., Ltd

WeEn Semiconductors Co., Ltd

- WeEn Semiconductors Co., Ltd, è la joint venture globale tra NXP Semiconductors N.V e Beijing JianGuang Asset Management Co. Ltd (JAC Capital). WeEn Semiconductors è stata inaugurata ufficialmente il 19 gennaio 2016 con il centro operativo e operativo a Shanghai, in Cina. WeEn Semiconductors è registrata nella città di Nanchang, che è la capitale della provincia di Jiangxi, in Cina. Possiede a pieno titolo filiali e filiali nella città di Jilin per la produzione bipolare, a Shanghai e nel Regno Unito per ricerca e sviluppo e supporto alla produzione, a Hong Kong per le attività di vendita e in molti altri paesi per vendite e servizi ai clienti, rispettivamente.
In qualità di attore chiave nel settore dei semiconduttori, WeEn combina l'avanzata tecnologia di potenza bipolare e la forte risorsa di JAC Capital nell'industria manifatturiera e nei canali di distribuzione cinesi, per concentrarsi sullo sviluppo di un portafoglio completo di prodotti di potenza bipolare leader del settore tra cui raddrizzatori controllati al silicio, diodi di potenza, transistor ad alta tensione, carburo di silicio che sono ampiamente utilizzati nei settori automobilistico, telecomunicazioni, computer ed elettronica di consumo, elettrodomestici intelligenti, illuminazione e mercati di gestione dell'energia. L'obiettivo è quello di aiutare i clienti a ottenere un maggiore risparmio in termini di costi e efficienza produttiva e di contribuire allo sviluppo della Cina e alla produzione intelligente a livello mondiale.
Il portafoglio prodotti della Divisione Bi-Polar NXP (diodi, tiristori e transistor) è stato trasferito a WeEn Semiconductors (19 gennaio 2017).
Immagine Modello di prodotti Descrizione vista
BTA201-800E,116 Image BTA201-800E,116 TRIAC SENS GATE 800V 1A TO92-3 Inchiesta
BT137X-800/L02,127 Image BT137X-800/L02,127 TRIAC 800V 8A TO220F Inchiesta
BYV32E-100,127 Image BYV32E-100,127 DIODE ARRAY GP 100V 20A TO220AB Inchiesta
Z0107MN,135 Image Z0107MN,135 TRIAC SENS GATE 600V 1A SC73 Inchiesta
BTA316X-600C/L02Q BTA316X-600C/L02/TO-220F/STAND Inchiesta
BUJD203A,127 Image BUJD203A,127 TRANS NPN 425V 4A TO220AB Inchiesta
BYQ28E-200E,127 Image BYQ28E-200E,127 DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB Inchiesta
BYC30W-600PQ Image BYC30W-600PQ DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2 Inchiesta
BUJD203AX,127 Image BUJD203AX,127 TRANS NPN 425V 4A TO-220F Inchiesta
BTA208X-800E,127 Image BTA208X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 8A TO220-3 Inchiesta
BT151X-500C,127 Image BT151X-500C,127 THYRISTOR 500V 12A TO-220F Inchiesta
BTA212B-600E,118 Image BTA212B-600E,118 TRIAC SENS GATE 600V 12A D2PAK Inchiesta
BYV40E-150,115 Image BYV40E-150,115 DIODE ARRAY GP 150V 1.5A SC73 Inchiesta
BYC8-1200PQ BYC8-1200PQ/TO-220AC/STANDARD MA Inchiesta
BTA208X-600F,127 Image BTA208X-600F,127 TRIAC 600V 8A TO220-3 Inchiesta
BTA208S-800E,118 Image BTA208S-800E,118 TRIAC SENS GATE 800V 8A DPAK Inchiesta
OT391,412 Image OT391,412 TRIAC TO92-3 Inchiesta
BT151-1000RT,127 Image BT151-1000RT,127 THYRISTOR 1000V 12A TO220AB Inchiesta
BT169H/L01EP Image BT169H/L01EP THYRISTOR SCR 800V TO-92 Inchiesta
BT258-500R,127 Image BT258-500R,127 THYRISTOR 500V 8A TO220AB Inchiesta
BTA416Y-800C,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
NXPSC10650Q Image NXPSC10650Q DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC Inchiesta
BYV29X-500,127 Image BYV29X-500,127 DIODE GEN PURP 500V 9A TO220F Inchiesta
ACTT8-800C0TQ ACTT8-800C0T/SIL3P/STANDARD MA Inchiesta
OT393,115 Image OT393,115 TRIAC SC73 Inchiesta
BYQ28ED-200,118 Image BYQ28ED-200,118 DIODE ARRAY GP 200V 10A DPAK Inchiesta
BTA204X-800E,127 Image BTA204X-800E,127 TRIAC SENS GATE 800V 4A TO220-3 Inchiesta
BT151S-650SJ BT151S-650S/DPAK/REEL 13" Q1/T Inchiesta
TYN20B-600T,118 Image TYN20B-600T,118 SCR 600V 210A D2PAK Inchiesta
BT134W-800,115 Image BT134W-800,115 TRIAC 800V 1A SC73 Inchiesta
NXPSC20650WQ DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247 Inchiesta
BT148W-600R,115 Image BT148W-600R,115 THYRISTOR 1A 600V SOT-223 Inchiesta
BTA308Y-800C0TQ BTA308Y-800C0T/IITO220 /STANDARD Inchiesta
BTA410X-600BT,127 Image BTA410X-600BT,127 TRIAC 600V 10A TO220F Inchiesta
BTA316B-600B0J Image BTA316B-600B0J TRIAC 600V 16A D2PAK Inchiesta
BT138X-800/L02Q BT138X-800/L02/TO-220F/STANDAR Inchiesta
BTA420X-800CT/L03Q BTA420X-800CT/L03/TO-220F/STAN Inchiesta
BYV430J-600PQ DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P Inchiesta
BTA312-800CT,127 Image BTA312-800CT,127 TRIAC 800V 12A TO-220AB Inchiesta
BT131-600DQP Image BT131-600DQP TRIAC SENS GATE 600V 1A TO92-3 Inchiesta
BTA216X-600F,127 Image BTA216X-600F,127 TRIAC 600V 16A TO220-3 Inchiesta
BT136-600D/DG,127 Image BT136-600D/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 4A TO220AB Inchiesta
OB2003/001V OB2003/001V/NAU000/NO MARK*CHIPS Inchiesta
BTA310-600E,127 Image BTA310-600E,127 TRIAC SENS GATE 600V 10A TO220AB Inchiesta
BTA316-800B,127 Image BTA316-800B,127 TRIAC 800V 16A TO220AB Inchiesta
BT139-600E/DG,127 Image BT139-600E/DG,127 TRIAC SENS GATE 600V 16A TO220AB Inchiesta
BT151X-800C,127 Image BT151X-800C,127 THYRISTOR 800V 12A TO-220F Inchiesta
BYC10B-600,118 Image BYC10B-600,118 DIODE GEN PURP 500V 10A D2PAK Inchiesta
BT131-800EQP BT131-800E/TO-92/STANDARD MARK Inchiesta
TYN16X-600CT,127 Image TYN16X-600CT,127 IC SCR 16A 600V TO-220F Inchiesta
Records 873
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