MB85R4M2TFN-G-ASE1
- Modello di prodotti:
- MB85R4M2TFN-G-ASE1
- fabbricante:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Descrizione:
- IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
- Stato RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- Quantità in magazzino:
- 78066 Pieces
- Tempo di consegna:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tempi di produzione:
- 4-8 weeks
- Scheda dati:
- 1.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf2.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf
introduzione
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Specifiche
| Numero di parte interno | RO-MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
|---|---|
| Condizione | Original New |
| Paese di origine | Contact us |
| Contrassegno superiore | email us |
| Sostituzione | See datasheet |
| Scrivere il tempo del ciclo - Word, Pagina: | 150ns |
| Tensione di alimentazione -: | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Tecnologia: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 44-TSOP |
| Serie: | - |
| imballaggio: | Tray |
| Contenitore / involucro: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Altri nomi: | 865-1266 865-1266-1 865-1266-1-ND |
| temperatura di esercizio: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo di memoria: | Non-Volatile |
| Dimensione della memoria: | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaccia di memoria: | Parallel |
| Formato di memoria: | FRAM |
| Produttore tempi di consegna standard: | 20 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrizione dettagliata: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP |
| Tempo di accesso: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
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