MB85R4M2TFN-G-ASE1
- Modèle de produit:
- MB85R4M2TFN-G-ASE1
- Fabricant:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- La description:
- IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
- Statut RoHS:
- Sans plomb / conforme à la directive RoHS
- la quantité en dépôt:
- 78066 Pieces
- Heure de livraison:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Temps de production:
- 4-8 weeks
- Fiche technique:
- 1.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf2.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf
introduction
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Spécifications
| Numéro de pièce interne | RO-MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
|---|---|
| État | Original New |
| Pays d'origine | Contact us |
| Top Marking | email us |
| Remplacement | See datasheet |
| Écrire le temps de cycle - Word, Page: | 150ns |
| Tension - Alimentation: | 1.8 V ~ 3.6 V |
| La technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Package composant fournisseur: | 44-TSOP |
| Séries: | - |
| Emballage: | Tray |
| Package / Boîte: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Autres noms: | 865-1266 865-1266-1 865-1266-1-ND |
| Température de fonctionnement: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Type de montage: | Surface Mount |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Type de mémoire: | Non-Volatile |
| Taille mémoire: | 4Mb (256K x 16) |
| Interface mémoire: | Parallel |
| Format de mémoire: | FRAM |
| Délai de livraison standard du fabricant: | 20 Weeks |
| Statut sans plomb / Statut RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Description détaillée: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP |
| Temps d'accès: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
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