MB85R4M2TFN-G-ASE1
- Número de pieza:
- MB85R4M2TFN-G-ASE1
- Fabricante:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Descripción:
- IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 78066 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf2.MB85R4M2TFN-G-ASE1.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| Escribir tiempo de ciclo - Word, Página: | 150ns |
| Suministro de voltaje: | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Tecnología: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Paquete del dispositivo: | 44-TSOP |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Otros nombres: | 865-1266 865-1266-1 865-1266-1-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tipo de memoria: | Non-Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 4Mb (256K x 16) |
| Interfaz de memoria: | Parallel |
| Formato de memoria: | FRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 20 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Descripción detallada: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP |
| Tiempo de acceso: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
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