Número de peça interno | RO-MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
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Condição | Original New |
País de origem | Contact us |
Marcação superior | email us |
Substituição | See datasheet |
Escrever Tempo do Ciclo - Palavra, Página: | 150ns |
Tensão - Fornecimento: | 1.8 V ~ 3.6 V |
Tecnologia: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | 44-TSOP |
Série: | - |
Embalagem: | Tray |
Caixa / Gabinete: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Outros nomes: | 865-1266 865-1266-1 865-1266-1-ND |
Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de sensibilidade à umidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tipo de memória: | Non-Volatile |
Tamanho da memória: | 4Mb (256K x 16) |
Interface de memória: | Parallel |
Formato de memória: | FRAM |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 20 Weeks |
Status sem chumbo / status de RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Descrição detalhada: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP |
Tempo de acesso: | 150ns |
Email: | [email protected] |