MB85R4M2TFN-G-ASE1
- Artikelnummer:
- MB85R4M2TFN-G-ASE1
- Hersteller:
- Fujitsu Electronics America, Inc.
- Beschreibung:
- IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP
- RoHS-Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- Menge auf Lager:
- 78066 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Produktionszeit:
- 4-8 weeks
Einführung
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Spezifikation
| Interne Teilenummer | RO-MB85R4M2TFN-G-ASE1 |
|---|---|
| Bedingung | Original New |
| Herkunftsland | Contact us |
| Top-Markierung | email us |
| Ersatz | See datasheet |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 150ns |
| Spannungsversorgung: | 1.8 V ~ 3.6 V |
| Technologie: | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 44-TSOP |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tray |
| Verpackung / Gehäuse: | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Andere Namen: | 865-1266 865-1266-1 865-1266-1-ND |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Speichertyp: | Non-Volatile |
| Speichergröße: | 4Mb (256K x 16) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | FRAM |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 20 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | FRAM (Ferroelectric RAM) Memory IC 4Mb (256K x 16) Parallel 150ns 44-TSOP |
| Zugriffszeit: | 150ns |
| Email: | [email protected] |
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