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EPC2110ENGRT
EPC2110ENGRT
部品型番:
EPC2110ENGRT
メーカー:
EPC
説明:
TRANS GAN 2N-CH 120V BUMPED DIE
RoHSステータス:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
52598 Pieces
配達時間:
1-2 days (We have stocks to ship now)
生産時間:
4-8 weeks
データシート:
EPC2110ENGRT.pdf
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規格

内部モデル RO-EPC2110ENGRT
状況 Original New
原産国 Contact us
トップマーク email us
代替案 See datasheet
同上@ VGS（TH）（最大）:2.5V @ 700µA
サプライヤデバイスパッケージ:Die
シリーズ:eGaN®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:60 mOhm @ 4A, 5V
電力 - 最大:-
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:Die
他の名前:917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:16 Weeks
鉛フリーステータス/ RoHSステータス:Lead free / RoHS Compliant
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:80pF @ 60V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:0.8nC @ 5V
FETタイプ:2 N-Channel (Dual) Common Source
FET特長:GaNFET (Gallium Nitride)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:120V
詳細な説明:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 120V 3.4A Surface Mount Die
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:3.4A
Email:[email protected]

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