APTM60A11FT1G
- Номер на частта:
- APTM60A11FT1G
- Производител:
- Microsemi
- описание:
- MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
- Статус на RoHS:
- Без олово / RoHS съвместим
- Количество на склад:
- 50394 Pieces
- Време за доставка:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Време за производство:
- 4-8 weeks
- Информационен лист:
- 1.APTM60A11FT1G.pdf2.APTM60A11FT1G.pdf
Въведение
We can supply APTM60A11FT1G, use the request quote form to request APTM60A11FT1G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number APTM60A11FT1G.The price and lead time for APTM60A11FT1G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# APTM60A11FT1G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation
Спецификации
| Вътрешен номер на част | RO-APTM60A11FT1G |
|---|---|
| състояние | Original New |
| Произход на страната | Contact us |
| Най-висока маркировка | email us |
| Замяна | See datasheet |
| Vgs (th) (Max) @ Id: | 5V @ 2.5mA |
| Пакет на доставчик на устройства: | SP1 |
| серия: | - |
| Rds On (Макс.) @ Id, Vgs: | 132 mOhm @ 33A, 10V |
| Мощност - макс: | 390W |
| Опаковка: | Bulk |
| Пакет / касета: | SP1 |
| Други имена: | APTM60A11UT1G APTM60A11UT1G-ND |
| Работна температура: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип монтаж: | Chassis Mount |
| Ниво на чувствителност към влага (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Производител Стандартно време за доставка: | 32 Weeks |
| Статус за свободно състояние / състояние на RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Капацитет на вход (Ciss) (Макс) @ Vds: | 10552pF @ 25V |
| Такса за захранване (Qg) (макс.) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
| Тип FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| FET Feature: | Standard |
| Изтичане към източника на напрежение (Vdss): | 600V |
| Подробно описание: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1 |
| Текущ - непрекъснат дренаж (Id) @ 25 ° C: | 40A |
| Email: | [email protected] |
Свързани части за APTM60A11FT1G
Latest News
- Toshiba стартира SmartMCD Series Gate Driver IC с вграден микроконтролер
- Комплект за разгръщане на ADI Sambanova, насърчавайки производствената формула AI за постигане на пробив на ниво предприятие
- Honeywell и Adi се присъединиха към насърчаването на иновациите и промяната на автоматизацията на сградите
- Максим обяви старта
- Maxim стартира автомобил DC-DC Converter Max16984, автомобил с интегрирани USB зареждащи изброяващи изброяващи
- Renesas Electronics стартира първия програмируем електрически драйвер в индустрията IC
- Renesas стартира първото поколение 32-битово RISC-V CPU ядро
- Vishay стартира новото съединение с ниска сила 10 Mbd, едва 5 mA, диапазонът на напрежението е 2,7 V до 5,5 V
- Melexis стартира ново решение за интелигентно отклонение за интегриране на надеждна сигурност
- Toshiba е разработил първия 2200V модул с двойно карбид MOSFET в индустрията, за да помогне за ефективността и миниатюризацията на индустриалното оборудване
- Ерата на DDR5 се приближава и новите предизвикателства не могат да бъдат игнорирани
- Renesas отваря следващата карта на автомобила SOC и MCU Processor Product Route Map