APTM60A11FT1G
- Número de pieza:
- APTM60A11FT1G
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
- Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad en inventario:
- 50394 Pieces
- El tiempo de entrega:
- 1-2 days (We have stocks to ship now)
- Tiempo de producción:
- 4-8 weeks
- Ficha de datos:
- 1.APTM60A11FT1G.pdf2.APTM60A11FT1G.pdf
Introducción
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Especificaciones
| Número de parte interno | RO-APTM60A11FT1G |
|---|---|
| Condición | Original New |
| País de origen | Contact us |
| Marcado superior | email us |
| Reemplazo | See datasheet |
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 2.5mA |
| Paquete del dispositivo: | SP1 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 132 mOhm @ 33A, 10V |
| Potencia - Max: | 390W |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SP1 |
| Otros nombres: | APTM60A11UT1G APTM60A11UT1G-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 32 Weeks |
| Estado sin plomo / Estado RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 10552pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica de FET: | Standard |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 600V |
| Descripción detallada: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 40A |
| Email: | [email protected] |
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