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Accueil > Centre des produits > Produits semi-conducteurs discrets > Transistors - FET, MOSFET - tableaux > APTM60A11FT1G
APTM60A11FT1G
Modèle de produit:
APTM60A11FT1G
Fabricant:
Microsemi
La description:
MOSFET 2N-CH 600V 40A SP1
Statut RoHS:
Sans plomb / conforme à la directive RoHS
la quantité en dépôt:
50394 Pieces
Heure de livraison:
1-2 days (We have stocks to ship now)
Temps de production:
4-8 weeks
Fiche technique:
1.APTM60A11FT1G.pdf2.APTM60A11FT1G.pdf
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introduction

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Spécifications

Numéro de pièce interne RO-APTM60A11FT1G
État Original New
Pays d'origine Contact us
Top Marking email us
Remplacement See datasheet
Vgs (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur:SP1
Séries:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:132 mOhm @ 33A, 10V
Puissance - Max:390W
Emballage:Bulk
Package / Boîte:SP1
Autres noms:APTM60A11UT1G
APTM60A11UT1G-ND
Température de fonctionnement:-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL):1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant:32 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:10552pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs:330nC @ 10V
type de FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET:Standard
Tension drain-source (Vdss):600V
Description détaillée:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 600V 40A 390W Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C:40A
Email:[email protected]

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